新突破:再生長GaN LED燈珠
2020-11-26
GaN是氮和鎵的化合物。 GaN氮化鎵LED燈珠是屬于直接能隙之半導(dǎo)體材料,其能隙為3.4ev, 而aln為6.3ev, inn為2.0ev,將這幾種材料做成混晶時(shí),可以將能隙從2.0ev連續(xù)改變到6.3ev,因此可以獲得從紫外線、紫光、藍(lán)光、綠光到黃光等范圍的顏色。 美國康奈爾大學(xué)聯(lián)合諾特丹大學(xué)以及IQE RF LLC公司共同研發(fā)出一款再生長GaN氮化鎵LED燈珠;該器件的底層結(jié)構(gòu)由氮化鎵襯底構(gòu)成,再通過金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(MOCVD)工藝在其表面生長8微米厚含